Samsung ускорила запуск нового производства чипов памяти DRAM и 3D V-NAND в Южной Корее
Южнокорейская компания Samsung Electronics форсирует запуск третьей фабрики по производству полупроводников в корейском городе Пхёнтхэк. Об этом сообщает корейское издание Pulse, со ссылкой на источники в индустрии.
По данным одного из источников, компания уже заказала для новой линии производственное оборудование. Его специфика указывает на то, что Samsung будет производить на P3 микросхемы памяти DRAM на основе 10-нм техпроцесса с применением EUV-литографии для повышения объёмов производства на пластину, а также чипы флеш-памяти 3D V-NAND седьмого поколения со 176 и более слоями. Указывается, что поставки оборудования ожидаются к завершению строительных работ, а именно весной будущего года.
Закладка завода P3 началась в сентябре 2020 года, когда кризис в полупроводниковой отрасли только назревал. По оценкам экспертов, Samsung может потратить на создание нового производства от 26,7 до 44,3 миллиардов долларов при выходе на полную мощность к 2023 году.
По словам источника, компания пока не определилась с тем, будет ли новое предприятие производить полупроводниковую продукцию по контрактным заказам сторонних компаний. Вероятно, это решение будет зависеть от потенциальных масштабов подобных заказов.
Также указывается, что Samsung уже сформовала проектную команду линии P3. Компания планировала поделиться деталями о проекте ещё в январе текущего года, но отложила это решение. Это связывают с тем, что 18 января генеральный директор и фактический руководитель корейского гиганта Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong) был приговорён к двум годам и шести месяцам лишения свободы по обвинению во взяточничестве.
По материалам: 3dnews.ru
