Samsung объявила о разработке 24-гигабитных чипов DDR5 — они позволят создавать модули памяти на 768 Гбайт
Компания Samsung на минувшем собрании, посвящённом подведению итогов второго квартала текущего года сообщила, что ведёт разработку 24-гигабитных чипов памяти DDR5. В теории это позволит производить для серверного сегмента модули памяти объёмом до 768 Гбайт.
«В ответ на запросы наших партнёров из сегмента облачных вычислений мы также разрабатываем 24-гигабитные чипы памяти DDR5», — указал один из руководителей компании в ходе выступления, стенограмма которого опубликована порталом SeekingAlpha.
В прошлом компания уже демонстрировала модуль памяти RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из 32 чипов памяти объёмом по 16 Гбайт (каждый состоит из восьми слоёв по 16 Гбит). Используя 24-гигабитную память в составе восьмислойной сборки (8-Hi) Samsung может увеличить объём одного стека памяти до 24 Гбайт, а общий объём 32-чипового модуля — до 768 Гбайт. В таком случае серверная система, предлагающая поддержку восьмиканальной памяти (по два модуля на канал) теоретически может быть оснащена свыше 12 Тбайт ОЗУ стандарта DDR5. Для сравнения, заявленные возможности текущего поколения процессоров Intel Xeon Scalable (Ice Lake-SP) предлагают установку только до 6 Тбайт памяти DRAM.
Дополнительно для серверного сегмента Samsung может начать производство модулей памяти объёмом 96, 192 или 384 Гбайт. Для рынка потребительской оперативной памяти использование 24-гигабитных чипов вместо 16-гигабитных может означать появление модулей памяти с увеличенным на 50 % объёмом. В таком случае в продаже можно будет встреть модули памяти DDR5 объёмом 24 и 48 Гбайт. Однако компания добавила, что подобные решения вряд ли появятся в ближайшее время, поскольку сейчас основной упор делается на производство 16-гигабитных чипов DRAM.
По материалам: 3dnews.ru
